Kies uw land of regio.

Huis
producten
Discrete Semiconductor Products
Transistors - Bipolair (BJT) - Arrays, Pre-Biased
RN1704JE(TE85L,F)

RN1704JE(TE85L,F)

RN1704JE(TE85L,F) Image
Afbeelding kan representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Onderdeel nummer:
RN1704JE(TE85L,F)
Fabrikant / Merk:
Toshiba Semiconductor and Storage
product beschrijving:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Datasheets:
RN1704JE(TE85L,F).pdf
RoHs-status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraad conditie:
700555 pcs stock
Verschepen van:
Hong Kong
Zending manier:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OFFERTE AANVRAGEN

Vul alstublieft alle verplichte velden in met uw contactgegevens. Klik op " VERZEND RFQ ".
we zullen spoedig per e-mail contact met u opnemen. Of e-mail ons: info@Micro-Semiconductors.com

In Stock 700555 pcs Referentieprijs (in Amerikaanse dollars)

  • 4000 pcs
    $0.033
Richtprijs(USD):
Aantal:
Geef ons uw richtprijs als de hoeveelheden groter zijn dan de weergegeven hoeveelheden.
Totaal: $0.00
RN1704JE(TE85L,F)
Bedrijfsnaam
contactnaam
E-mail
Bericht
RN1704JE(TE85L,F) Image

Specificaties van RN1704JE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
(Klik op de blanco om automatisch te sluiten)
Onderdeel nummer RN1704JE(TE85L,F) Fabrikant Toshiba Semiconductor and Storage
Beschrijving TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV Leid Free Status / RoHS Status Loodvrij / RoHS-conform
hoeveelheid beschikbaar 700555 pcs stock Data papier RN1704JE(TE85L,F).pdf
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) Leverancier Device Pakket ESV
Serie - Weerstand - emitterbasis (R2) 47 kOhms
Weerstand - basis (R1) 47 kOhms Vermogen - Max 100mW
Packaging Tape & Reel (TR) Verpakking / doos SOT-553
Andere namen RN1704JE(TE85LF)TR montage Type Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Loodvrije status / RoHS-status Lead free / RoHS Compliant
Frequentie - Transition 250MHz gedetailleerde beschrijving Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  
Stilgelegd

gerelateerde producten

Gerelateerde tags

Hot informatie