Kies uw land of regio.

Huis
producten
Discrete Semiconductor Products
Transistors - Bipolair (BJT) - Arrays, Pre-Biased
RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F)

RN2964FE(TE85L,F) Image
Afbeelding kan representatie zijn.
Zie specificaties voor productdetails.
Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
Onderdeel nummer:
RN2964FE(TE85L,F)
Fabrikant / Merk:
Toshiba Semiconductor and Storage
product beschrijving:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Datasheets:
RN2964FE(TE85L,F).pdf
RoHs-status:
Loodvrij / RoHS-conform
Voorraad conditie:
5273 pcs stock
Verschepen van:
Hong Kong
Zending manier:
DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

OFFERTE AANVRAGEN

Vul alstublieft alle verplichte velden in met uw contactgegevens. Klik op " VERZEND RFQ ".
we zullen spoedig per e-mail contact met u opnemen. Of e-mail ons: info@Micro-Semiconductors.com
Richtprijs(USD):
Aantal:
Geef ons uw richtprijs als de hoeveelheden groter zijn dan de weergegeven hoeveelheden.
Totaal: $0.00
RN2964FE(TE85L,F)
Bedrijfsnaam
contactnaam
E-mail
Bericht
RN2964FE(TE85L,F) Image

Specificaties van RN2964FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage
(Klik op de blanco om automatisch te sluiten)
Onderdeel nummer RN2964FE(TE85L,F) Fabrikant Toshiba Semiconductor and Storage
Beschrijving TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 Leid Free Status / RoHS Status Loodvrij / RoHS-conform
hoeveelheid beschikbaar 5273 pcs stock Data papier RN2964FE(TE85L,F).pdf
Spanning - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Leverancier Device Pakket ES6
Serie - Weerstand - emitterbasis (R2) 47 kOhms
Weerstand - basis (R1) 47 kOhms Vermogen - Max 100mW
Packaging Tape & Reel (TR) Verpakking / doos SOT-563, SOT-666
Andere namen RN2964FE(TE85LF)TR montage Type Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Loodvrije status / RoHS-status Lead free / RoHS Compliant
Frequentie - Transition 200MHz gedetailleerde beschrijving Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  
Stilgelegd

gerelateerde producten

Gerelateerde tags

Hot informatie